Номер детали производителя : | HS1JL RTG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1JL RTG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1JL RTG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1JL RTG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA